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J-GLOBAL ID：200903035407461227

半導体の製造方法及びその製造装置

Inventor：
西川 孝司

About 西川 孝司

, 
北畠 真

About 北畠 真

, 
佐々井 洋一

About 佐々井 洋一


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998162057
Publication number (International publication number)：1999074199
Application date： Jun. 10, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 欠陥が少ないGaN系半導体結晶を確実に得られるようにする。【解決手段】 まず、基板の前処理として、面方位が(111)面のSiよりなる基板11をフッ酸に浸漬して、基板11の主面のダングリングボンドを終端させるためのH原子層12を形成する。次に、この基板11をMBE装置における高真空の反応容器内に搬入し、搬入された基板11のH原子層12の上に、Gaの分子線及びSeの分子線をそれぞれ供給することにより、ファンデルワールス結晶体であるGaSeよりなるバッファ層13を成長させる。次に、Seの供給を止め、代わりに、基板11のバッファ層13の上に、高周波又は電子サイクロトロン共鳴を用いて活性化されたN2 ガスを窒素源として供給することにより、GaNよりなる半導体層14を成長させる。
Claim (excerpt)：
結晶構造を有する基板上にファンデルワールス結晶体よりなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、前記バッファ層の上にガリウムと窒素とを含む半導体層を形成する半導体層形成工程とを備えていることを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/203 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (5)：
H01L 21/203 M ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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