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J-GLOBAL ID：200903091336176035

短波長光の検出方法

Inventor： 狩野 陽 ,  渡部 信一 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 藤本 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995350343
Publication number (International publication number)：1997181350
Application date： Dec. 21, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 軽量性や小型性や携帯性に優れるコンパクトな検出装置を容易に形成できる、波長200〜500nm等の短波長域の光の検出方法を得ること。【解決手段】 基板(1)上にpn接合を有するGaN系半導体層(3,4)を有し、そのp型及びn型の半導体層の少なくとも一方がGaN又は一般式:In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>1-x-y</SB>N(ただし、0<x≦1、0≦y≦1)で表される半導体層からなる受光素子を介して短波長域の光を検出する短波長光の検出方法。【効果】 短波長域の光を高感度に、かつ感度の均一性よく検出でき、化学的に安定で熱や気候等の耐環境性にも優れるコンパクトなセンサが容易に得られる。

Claim (excerpt)：

基板上にpn接合を有するGaN系半導体層を有し、そのp型及びn型の半導体層の少なくとも一方がGaN又は一般式:In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>1-x-y</SB>N(ただし、0<x≦1、0≦y≦1)で表される半導体層からなる受光素子を介して短波長域の光を検出することを特徴とする短波長光の検出方法。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  G01J 1/02 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-078294   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-335255   Applicant：天野浩, 赤崎勇, パイオニア株式会社, 豊田合成株式会社