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J-GLOBAL ID：200903091352037576

誘電体素子、圧電体素子、インクジェットヘッド及びその製造方法

Inventor： 青木 活水 ,  武田 憲一 ,  福井 哲朗 ,  舟窪 浩 ,  岡本 庄司 ,  浅野 剛司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  舟窪 浩
Agent (4)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  岩田 慎一 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005001364
Publication number (International publication number)：2005223318
Application date： Jan. 06, 2005
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】誘電体層を製造するための汎用基板上に優先配向あるいは一軸配向の結晶構造を有する誘電体層を設けること。【解決手段】製造用の基板上に、第一の電極層及び第二の電極層を有する下部電極層、誘電体層及び上部電極層をこの順に設け、これらの層を優先配向または一軸配向とし、それらのX線回折測定によるピークに基づいて擬ヴォイト関数のフィッティングにより得られる半価幅を特定の範囲とすることで成膜用の汎用基板を用いた場合でも所望とする品質の誘電体層を安定して得ることができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

下部電極層、誘電体層及び上部電極層を、基板上にこの順に有する誘電体素子であって、 前記下部電極層及び前記上部電極層の少なくとも一方が、金属を主成分とする第一の電極層と酸化物を主成分とする第二の電極層とを有し、 前記第一の電極層、前記第二の電極層及び前記誘電体層はそれぞれ優先配向もしくは一軸配向の結晶構造を有し、 前記第一の電極層、前記第二の電極層及び前記誘電体層の、優先配向軸または一軸配向軸におけるX線回折測定によるピークに基づいて擬ヴォイト関数のフィッティングにより得られる半価幅をそれぞれ、f1、f2、f3としたとき、下記一般式(1): f3>f2>f1≧0.1°・・・・・・・(1) を満たし、かつf1が0.1°以上10°以下であることを特徴とする誘電体素子。

IPC (7)：

H01L41/09 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  H01L27/105 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

FI (8)：

H01L41/08 L ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 D ,  H01L27/10 444C ,  B41J3/04 103A

F-Term (10)：

2C057AG44 ,  2C057AP16 ,  2C057BA14 ,  5F083FR01 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA45 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375686   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 圧電アクチュエータおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-250536   Applicant：松下電器産業株式会社