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J-GLOBAL ID：200903091401869108
ISFETアレイ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998219075
Publication number (International publication number)：2000055874
Application date： Aug. 03, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 スイッチのオン、オフによるいわゆるノイズの影響を可及的に少なくしたISFETを提供すること。【解決手段】 ISFET2を二次元的に複数個配置してなるISFETアレイ1において、全てのISFET2に常に電圧を印加し、全てのISFET2を常に動作状態にしている。
Claim (excerpt)：
ISFETを二次元的に複数個配置してなるISFETアレイにおいて、全てのISFETに常に電圧を印加し、全てのISFETを常に動作状態にしてあることを特徴とするISFETアレイ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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