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J-GLOBAL ID:200903091422853899

超高感度電磁場検出用走査型プローブ顕微鏡とその探針

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 坂上 正明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002366408
Publication number (International publication number):2003254887
Application date: Dec. 18, 2002
Publication date: Sep. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 本発明の課題は、サブミクロンオーダー以下に微細化された回路内を流れる電流によって発生されるような微小な磁気信号を捉え、該回路を評価する方法とその装置を提供することにある。【解決手段】 本発明の超高感度電磁場検出用走査型プローブ顕微鏡は、走査型プローブ顕微鏡のカンチレバーの探針の少なくとも一部に、低磁場で大きな磁歪を示す超磁歪材料を用いた構造とし、局所的な電流の変化による磁束の変化あるいは磁性体の磁束を、該超磁歪材料の変位信号として捉えると共に、他方で同領域の試料表面の形状を走査型プローブ顕微鏡の機能で検出し、前記超磁歪材料の変位信号から磁束情報と形状情報を分離して画像化する。
Claim (excerpt):
微細な探針つきカンチレバーで試料表面近傍を走査し、カンチレバーのたわみ信号より試料表面の形状、物性情報を得る走査型プローブ顕微鏡において、前記探針の少なくとも一部に、低磁場で大きな磁歪特性を示す超磁歪材料を用いることにより、試料表面の局部における電磁場の状態を検出することを特徴とする超高感度電磁場検出用走査型プローブ顕微鏡。
IPC (3):
G01N 13/22 ,  G01N 13/10 ,  G01R 31/302
FI (3):
G01N 13/22 B ,  G01N 13/10 G ,  G01R 31/28 L
F-Term (5):
2G132AA00 ,  2G132AD01 ,  2G132AD15 ,  2G132AF06 ,  2G132AF16
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
  • 特許第6448766号
  • 特許第6448766号
  • 特許第6579612号
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