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J-GLOBAL ID：200903091439614537

媒体に影響されないマイクロセンサ構造および製造方法ならびに使用方法

Inventor： テレサ・エイ・モーディー ,  デビッド・ジェイ・モンク ,  ティモシー・エス・サベイジ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 池内 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996104434
Publication number (International publication number)：1996278218
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 マイクロセンサ装置を過酷な媒体から保護しかつ広範囲の媒体条件に耐え、コスト効率がよく信頼性の高い保護構造および方法を実現する。【解決手段】 過酷な媒体中の環境条件を検知するための媒体の影響を受けないマイクロセンサ構造11は過酷なは媒体にさらされる構造部分を覆う無機保護膜17を含む。1実施形態では、マイクロセンサ構造11はマイクロセンサパッケージ12、マイクロセンサパッケージ12に接合されたマイクロセンサ装置16、リードフレーム13、マイクロセンサ装置16をリードフレーム13に接続する接続ワイヤ14、および前記構造体の露出面のすべてまたは一部に形成された無機保護膜17を含む。

Claim (excerpt)：

媒体に影響されないマイクロセンサ構造であって、マイクロセンサパッケージ(12)、該マイクロセンサパッケージに結合されたマイクロセンサ装置(16)、前記マイクロセンサパッケージに結合されたマイクロセンサ装置にかつ該マイクロセンサ装置から信号を伝達する導電構造(14,17)、そして前記媒体に影響されないマイクロセンサ構造が前記過酷な媒体と接触するよう配置されたときに前記過酷な媒体にさらされる前記マイクロセンサパッケージ(12)、前記マイクロセンサ装置(16)および前記導電性構造(14,17)の面を覆う無機保護コーティング(17)、を具備することを特徴とする媒体に影響されないマイクロセンサ構造。

IPC (4)：

G01L 19/06 ,  G01L 1/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 29/84

FI (4)：

G01L 19/06 Z ,  G01L 1/18 ,  H01L 21/60 301 M ,  H01L 29/84 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-257035   Applicant：松下電工株式会社