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J-GLOBAL ID：200903091462973315

半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド

Inventor：
炭谷 博昭

About 炭谷 博昭


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002069935
Publication number (International publication number)：2003272998
Application date： Mar. 14, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：
【要約】【課題】 モールドプレスすることにより得られたパターンの残渣をなくすことでエッチング工程をなくし、照射光の波長以下の微細パターンまで形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、パターンの形成されたモールド1をネガ型のフォトレジスト2に押し付ける工程と、モールド1をフォトレジスト2に押し付けた状態で、照射光7をモールド1を通じてフォトレジスト2に選択的に照射する工程と、フォトレジスト2を現像することによりフォトレジスト2の照射光7が照射されていない領域を除去してフォトレジスト2をパターニングする工程とを備えている。
Claim (excerpt)：
パターンの形成されたモールドをフォトレジストに押し付ける工程と、前記モールドを前記フォトレジストに押し付けた状態で、照射光を前記モールドを通じて前記フォトレジストに選択的に照射する工程と、前記フォトレジストを現像することにより、前記フォトレジストの前記照射光が照射されていない領域を除去して、前記フォトレジストをパターニングする工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20 521
FI (4)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/14 B ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 D
F-Term (9)：
2H095BA04 ,  2H095BA06 ,  2H095BA07 ,  2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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