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J-GLOBAL ID：200903091473584108

シリコンの洗浄方法および洗浄装置

Inventor： 張 宏勇 ,  坂倉 真之 ,  後藤 裕吾
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997187326
Publication number (International publication number)：1999016866
Application date： Jun. 27, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコン表面を有する基板を湿式の洗浄又はエッチングを行った後に、基板を純水リンス中又はリンス後に酸化剤を添加した純水によってリンスして、シリコン表面に酸化膜を10〜30Å形成した後に、基板を乾燥させるシリコン基板の洗浄方法および洗浄装置。【解決手段】 シリコン表面に酸化膜を形成した後に、乾燥させるためにウォータマークの発生を防止することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン表面を有する基板を湿式の洗浄を行った後に、シリコン表面を純水にてリンスし、当該リンス中又はリンス後にシリコン表面に10〜30Åの酸化膜を乾燥前に形成した後に、シリコン表面を乾燥させることを特徴とするシリコンの洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-228328
  
• 特開平3-136329
  
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-225851   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所