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J-GLOBAL ID：200903082533962973

半導体装置の作製方法

Inventor： 福永 健司 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994225851
Publication number (International publication number)：1996069967
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、加熱処理とレーザー光の照射を併用する。【構成】 ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に極薄の酸化膜13を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行ない、さらにレーザー光を照射することによって、結晶性珪素膜を得る。そしてさらに550°C、4時間の加熱処理を施すこにより、欠陥密度の小さい結晶性珪素膜を得る。

Claim (excerpt)：

結晶化を助長する金属元素を非晶質珪素膜に選択的に導入する工程と、前記珪素膜に対してレーザー光または強光を照射する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-139151   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-077699   Applicant：シャープ株式会社