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J-GLOBAL ID：200903091475473397

薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法

Inventor：
井樋田 悟史

About 井樋田 悟史

, 
小山 学

About 小山 学


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社

, 
秋田日本電気株式会社

About 秋田日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999365642
Publication number (International publication number)：2001183639
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】薄膜トランジスタアレイ基板のパッシベーション膜としてSiNxを用いる場合、ITO上のSiNx膜をウェットエッチングしてコンタクトを空けるとき、SiNx膜との界面で異常エッッチングが発生する。又、横型電界を用いるタイプの画素電極の上のSiNx膜を厚くすると、その膜応力によりドレイン配線の断線が多発するという新たな問題が発生した。【解決手段】SiNxにN-H/Si-H比が5以上、或いは、N2プラズマ処理後のSiNxにN-H/Si-H比が3.5以上のSiNx膜を成膜することで、特に、SiNx膜112の下地にITO110を有する構造においてはSiNx膜/ITO界面の異常エッチングを防止でき、又、SiNx膜に覆われる配線の断線を低減できる、という効果が得られる。
Claim (excerpt)：
透明導電膜を含む配線を基板の上方に形成し、前記配線を含む前記基板の上にシリコン窒化膜(SiNx)からなる保護絶縁膜を堆積させる製造工程を少なくとも備える薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、少なくとも前記保護絶縁膜のうち、前記配線の表面と接する部分の前記シリコン窒化膜は、前記シリコン窒化膜を構成するシリコン原子が水素原子と結合した原子数をSi-H、窒素原子が水素原子と結合した原子数をN-H、とそれぞれ表した場合、N-HのSi-Hに対する比であるN-H/Si-Hが5以上となる膜質に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
IPC (4)：
G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/786
FI (4)：
G02F 1/1333 505 ,  H01L 21/318 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 A
F-Term (47)：
2H090HA03 ,  2H090HA08 ,  2H090HB04X ,  2H090HC12 ,  2H090HD05 ,  2H090LA01 ,  2H092JB57 ,  2H092KB05 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA18 ,  2H092NA15 ,  2H092NA29 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF33 ,  5F058BJ03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA26 ,  5F110CC07 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK24 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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