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J-GLOBAL ID：200903091481118043
半導体発光素子及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998349391
Publication number (International publication number)：2000031534
Application date： Nov. 24, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 消費電力及び動作電圧の低い半導体発光素子の低コスト化が困難であった。【解決手段】 シリコンから成る低抵抗性基板11の上に窒化チタン膜12を設ける。窒化チタン膜12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域14、窒化ガリウムインジウムからなる活性層15、窒化ガリウムから成るp形半導体領域16を順次に形成する。p形半導体領域16のアノード電極18を設け、低抵抗性基板11にカソード電極19を設ける。
Claim (excerpt)：
低抵抗性基板と、前記低抵抗性基板の一方の主面上に形成された窒化チタン膜と、前記窒化チタン膜の上に形成されており且つ窒化ガリウム又は窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物から成る第1の導電形の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の上に形成されており且つ窒化ガリウム又は窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物から成り且つ前記第1の導電形と反対の第2の導電形を有している第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の表面の一部に形成された第1の電極と、前記低抵抗性基板の他方の主面に形成された第2の電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
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