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J-GLOBAL ID：200903091501433498

GaN基板およびその製造方法

Inventor： 元木 健作 ,  岡久 拓司 ,  笠井 仁
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999146551
Publication number (International publication number)：2000340509
Application date： May. 26, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 転位等の結晶欠陥が低減されたGaN基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 GaN単結晶からなるベース板2の一の面に、GaNの非晶質層4を形成する非晶質層形成工程と、非晶質層4上にGaNの単結晶層6を形成する単結晶層形成工程と、を備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

GaN単結晶からなるベース板の一の面に、GaNの非晶質層を形成する非晶質層形成工程と、前記非晶質層上に、GaNの単結晶層を形成する単結晶層形成工程と、を備えることを特徴とするGaN基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

F-Term (35)：

5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA25 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EK06 ,  5F045HA04 ,  5F052KA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056047   Applicant：日亜化学工業株式会社
• GaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242967   Applicant：三菱電線工業株式会社