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J-GLOBAL ID：200903032531797374

窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： 小崎 徳也 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997056047
Publication number (International publication number)：1998256662
Application date： Mar. 11, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【目的】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板の製造方法と、窒化物半導体基板を用いた素子の新規な製造方法を提供する。【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる厚さ1mm以上の基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させた後、その基板を除去し、一方窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させる第1の工程と、第1の工程後、前記基板を除去することによって窒化物半導体基板を作製する第2の工程と、第2の工程後、表面の凹凸差が±1μm以下になるまで窒化物半導体基板表面を研磨する第3の工程と、第3の工程後、窒化物半導体基板の研磨面に新たな窒化物半導体を成長させる第4の工程とを備える。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる材料よりなる厚さ1mm以上の基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させた後、その基板を除去することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• GaN単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-062815   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 3-5族化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-170774   Applicant：住友化学工業株式会社
• 特開平4-297023