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J-GLOBAL ID：200903091552931905

Ag合金薄膜電極、有機EL素子及びスパッタリング用ターゲット

Inventor： 小松 孝 ,  石橋 暁 ,  清田 淳也 ,  杉浦 功 ,  新井 真 ,  中村 肇 ,  柴 衛平 ,  金 豊
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック ,  真空冶金株式会社
Agent (1)： 打揚 洋次 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001242174
Publication number (International publication number)：2003055721
Application date： Aug. 09, 2001
Publication date： Feb. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 密着性に優れたAg合金薄膜からなる電極、この薄膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット、及びこの薄膜を用いた有機EL素子の提供。【解決手段】 Agに、AuとCu、Ti及びSnから選択された少なくとも1つの金属とを添加してなるAg合金から形成された薄膜であって、0.1〜4.0at%のAu、0〜5.0at%のCu、0〜1.0at%のTi、及び0〜1.0at%のSnを含有する薄膜からなる。この薄膜と同じ合金組成を有するスパッタリング用ターゲット。この薄膜からなる電極を用いた有機EL素子。

Claim (excerpt)：

Agに、AuとCu、Ti及びSnから選択された少なくとも1つの金属とを添加してなるAg合金から形成された薄膜であって、0.1〜4.0at%のAu、0〜5.0at%のCu、0〜1.0at%のTi、及び0〜1.0at%のSnを含有するAg合金薄膜からなることを特徴とするAg合金薄膜電極。

IPC (9)：

C22C 5/06 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 1/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26 ,  H01B 5/14

FI (9)：

C22C 5/06 C ,  C23C 14/06 L ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  H01B 1/02 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z ,  H01B 5/14 A

F-Term (27)：

3K007AB11 ,  3K007AB15 ,  3K007AB18 ,  3K007CC00 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA08 ,  4K029BA15 ,  4K029BA22 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  5G301AA01 ,  5G301AA02 ,  5G301AA08 ,  5G301AA20 ,  5G301AA21 ,  5G301AB20 ,  5G301AD10 ,  5G307FB02 ,  5G307FC05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-140336   Applicant：凸版印刷株式会社, 住友金属鉱山株式会社