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J-GLOBAL ID:200903091566107563

炭素膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷川 昌夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995254949
Publication number (International publication number):1997095784
Application date: Oct. 02, 1995
Publication date: Apr. 08, 1997
Summary:
【要約】【課題】有機材料からなる被成膜基体上に炭素膜を密着性良好に形成できる炭素膜の形成方法を提供する。【解決手段】有機材料からなる被成膜基体Sをフッ素(F)含有ガス、水素(H2 )ガス及び酸素(O2 )ガスから選ばれた少なくとも1種のガスのプラズマに曝した後、基体S上に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法。
Claim (excerpt):
有機材料からなる被成膜基体をフッ素(F)含有ガス、水素(H2 )ガス及び酸素(O2 )ガスから選ばれた少なくとも1種のガスのプラズマに曝した後、該基体上に炭素膜を形成することを特徴とする炭素膜の形成方法。
IPC (5):
C23C 16/02 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04
FI (6):
C23C 16/02 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04 P ,  C30B 29/04 Q
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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