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J-GLOBAL ID：200903091568610866

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 宮永 昭治 ,  大谷 久 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993347643
Publication number (International publication number)：1995183538
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶性の良好な結晶性珪素膜を提供する。【構成】 非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素としてニッケル等の元素を用いる。まずこの触媒元素を非晶質珪素膜の表面に接して設け、450°C〜650°Cの温度で加熱処理することにより、結晶核を生成する。そして、前記加熱温度より高い温度でさらに加熱処理を行なうことにより、結晶粒を成長させ、結晶性の良好な結晶性珪素膜を作製する。さらにこの加熱処理工程において、結晶化される珪素膜の表面に酸化珪素膜を熱酸化法により形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

結晶性を有する珪素膜を利用した活性領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記活性領域は、非晶質珪素膜に接して該珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を溶媒に解かして保持させ、450°C〜650°Cにおける加熱結晶化処理とその後の前記加熱温度よりも更に高温の熱処理により形成されたものであり、前記活性領域に接して設けられた酸化珪素膜は、前記珪素膜を熱酸化して設けられたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329761   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社