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J-GLOBAL ID：200903091589658893

半田付け方法及び半田付け装置

Inventor： 小野 義暢 ,  新海 吉治 ,  森 武史 ,  橋本 孝 ,  岩佐 久夫 ,  中野 賀正 ,  加々見 丈二 ,  古本 幸喜 ,  竹内 達也
Applicant, Patent owner： 神港精機株式会社
Agent (1)： 田中 浩 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000183553
Publication number (International publication number)：2001058259
Application date： Jun. 19, 2000
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 フラックスを使用しない半田付けを実現し、かつボイドの発生を防止する。【解決手段】 開閉可能な真空室2内にヒーター14を配置し、真空室2内に収容された半田を有する被処理物10を半田の溶融温度以上に加熱する。遊離基ガス供給装置16によって真空室2内に水素ラジカルを導入する。

Claim (excerpt)：

半田を有する被処理物が配置された真空室を真空状態に減圧する工程と、前記真空状態にある真空室の温度を、前記半田の溶融温度まで上昇させると共に前記半田の溶融温度に維持する加熱工程と、この加熱工程と並行して、前記真空室内に遊離基ガスを供給する工程とを、具備する半田付け方法。

IPC (7)：

B23K 1/008 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 31/02 310 ,  B23K 31/02 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/34 507 ,  B23K101:40

FI (8)：

B23K 1/008 B ,  B23K 1/00 330 E ,  B23K 31/02 310 B ,  B23K 31/02 310 C ,  B23K 31/02 310 H ,  H05K 3/34 507 J ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-293952
  
• 電子ビーム励起負イオン源及び負イオン発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-291061   Applicant：理化学研究所, 川崎重工業株式会社
• 特開平2-190489