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J-GLOBAL ID：200903091665570534

半導体レーザ

Inventor： 室谷 義治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997317268
Publication number (International publication number)：1999150324
Application date： Nov. 18, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザの発振波長の温度依存性を低減させ、発振波長が温度変化に対して安定な半導体レーザを提供する。【解決手段】 分布反射型半導体レーザの活性領域の前後両側に等価屈折率の温度依存性が異なる分布反射器を形成し、この分布反射器にサンプル回折格子を形成する。この前後の光導波路の屈折率変化の温度勾配とサンプル回折格子のサンプル周期の逆比が一定となるようにして、前後の分布反射器でバーニア構造を構成する。

Claim (excerpt)：

ブラッグ反射器を有する半導体レーザにおいて、等価屈折率の温度依存性が異なる少なくとも二種類の光導波路と、前記光導波路に設けられた複数の波長を反射する回折格子構造を有することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-123188
  
• 半導体光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-207651   Applicant：日本電気株式会社
• 波長可変素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-282725   Applicant：沖電気工業株式会社