半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993327112
Publication number (International publication number)：1995183377
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】ビアホール径が小さくなった場合にも、金配線とアルミニウム配線間の相互拡散のない多層配線構造を提供する。【構成】チタン膜2、窒化チタン膜3、Al-Si-Cu膜4、チタンタングステン合金膜5の積層により下層配線が構成されており、チタンタングステン合金膜8、金膜11の積層により上層配線が構成されている。ビアホール底部でのチタンタングステン合金膜8が薄くなった場合においても、あらかじめチタンタングステン合金膜5をバリアメタルとして形成しているので金膜11とAl-Si-Cu膜4との相互拡散を防止することができる。

Claim (excerpt)：

アルミニウム主導電材料とする下層配線と金を主導電材料とする上層配線により構成される多層配線を有する半導体装置において、前記下層配線は上層がバリアメタル膜により構成される積層構造を有しており、かつ、前記上層配線は下層がバリアメタル膜により構成される積層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平2-105554
半導体装置、周辺配線並びにそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-015480 Applicant：住友電気工業株式会社
特開昭60-103668

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