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J-GLOBAL ID：200903091715632986

真空変動中にイオン注入を制御するための方法及び装置

Inventor： ワルサー、スティーブン、アール
Applicant, Patent owner： バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
Agent (2)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002502808
Publication number (International publication number)：2004513471
Application date： Apr. 23, 2001
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【解決手段】ビームラインに沿った真空変動中に注入を制御するための方法及び装置。真空変動は検出されたビーム電流に基づいて検出され及び/または注入チャンバ内の圧力を測定することなく補償される。イオンビーム電流に対する基準レベルが決定され、該基準レベルと測定イオンビーム電流との間の差がウエハ走査速度のようなイオン注入処理のパラメータを制御するのに使用される。差値はまた検出ビーム電流の減少を生じさせる2つのタイプの電荷交換衝突を考慮するためにスケールされる。第1のタイプの衝突である非照準線衝突は検出ビーム電流の減少及び半導体ウエハへ分配される全ドーズ量の減少を引き起こす。第2のタイプの衝突である照準線衝突は検出ビーム電流の減少を引き起こすがウエハに分配される総ドーズ量には影響を与えない。したがって、差のスケーリングは非照準線衝突を考慮したウエハ走査速度を調節するのに使用される。

Claim (excerpt)：

イオン注入処理を制御するための方法であって、 イオンビームを生成する工程と、 イオンビーム電流基準レベルを決定する工程と、 半導体ウエハの注入中にイオンビーム電流を測定する工程と、 検出された圧力に基づくのではなく、基準レベル及び測定されたイオンビーム電流に基づいて注入中の真空変動を補償するべくイオン注入パラメータを調節する工程と、 から成る方法。

IPC (2)：

H01J37/317 ,  H01L21/265

FI (2)：

H01J37/317 C ,  H01L21/265 T

F-Term (7)：

5C034CC07 ,  5C034CC10 ,  5C034CC16 ,  5C034CD01 ,  5C034CD04 ,  5C034CD06 ,  5C034CD07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• イオンビーム電流の補正方法、イオン注入方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068370   Applicant：富士通株式会社