半導体光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：田中清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998280539
Publication number (International publication number)：2000091691
Application date： Sep. 16, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】実装時にも温度特性の良好な半導体光素子を提供する。【解決手段】半導体光素子は、基板101上に活性層102、クラッド層103、コンタクト層104、パッシベーション膜105、上部電極106、及び下部電極107から構成される。ここで、中央に形成されたリッジ導波路部はコンタクト層104を備えるがパッシベーション膜105を備えない。また、両側に形成された導波路側部はパッシベーション膜105を備えるがコンタクト層104を備えない。このように構成することで、リッジ導波路部と両側の導波路側部との段差を低減し、段差が0.3μm以下となるようにする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された電流注入領域リッジ導波路部と、前記基板上に前記リッジ導波路部の高さとほぼ同じ高さで隣接して形成された導波路側部とを備えたことを特徴とする半導体光素子。

F-Term (8)：

5F073AA13 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073AB21 , 5F073AB28 , 5F073CA12 , 5F073EA29 , 5F073FA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335087 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-125080 Applicant：エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
特開昭61-044492

Show all

Return to Previous Page