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J-GLOBAL ID:200903091786541418

光電変換素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999257386
Publication number (International publication number):2001085075
Application date: Sep. 10, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 液漏れせず、しかも、光電変換特性が低下しない光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記電解質層として、少なくとも、架橋性物質、溶媒及び酸化還元系構成物質からなる電解液をその場で重合させることにより生成された架橋ゲル状ポリマーを使用する。
Claim (excerpt):
少なくとも、一方の面上に金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記電解質層は、少なくとも、架橋性物質、溶媒及び酸化還元系構成物質からなる電解液をその場で重合させることにより生成された架橋ゲル状ポリマーからなることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (6):
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB07 ,  5H032EE16 ,  5H032HH05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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