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J-GLOBAL ID：200903091805258714
磁気抵抗素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001384305
Publication number (International publication number)：2003188438
Application date： Dec. 18, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：
【要約】【課題】実装する際の機械的ストレスの影響が感磁部などに作用するのを抑制できる磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】基板2と、基板上に形成される磁気抵抗膜3と、この磁気抵抗膜に形成される短絡電極4と、磁気抵抗膜に接続される状態で該磁気抵抗膜もしくは基板上に形成される素子電極6,7と、短絡電極と磁気抵抗膜とからなる感磁部5及び素子電極上を被覆するように形成され、素子電極の一部が露出するように形成される保護膜8とを有する磁気抵抗素子であって、保護膜上に素子電極と接続される引出し電極9を形成するとともに、この引出し電極は、平面視で感磁部から外れた部位にのみ設けられている。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成される磁気抵抗膜と、この磁気抵抗膜に形成される短絡電極と、前記磁気抵抗膜に接続される状態で該磁気抵抗膜もしくは基板上に形成される素子電極と、前記素子電極の一部、及び、前記短絡電極と前記磁気抵抗膜とからなる感磁部上を被覆するように形成される保護膜とを有する磁気抵抗素子であって、前記素子電極と接続される引出し電極を前記保護膜上に形成するとともに、この引出し電極は、平面視で前記感磁部から外れた部位に設けていることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 43/08 D
, G01R 33/06 R
