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J-GLOBAL ID：200903099626182811
磁電変換素子およびそれを用いた磁気センサ、磁電変換素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133542
Publication number (International publication number)：1999330584
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】磁気抵抗膜上から、リードフレームが接続されるためのスペースを排し、小型化した磁電変化素子を提供する。【解決手段】絶縁基板11と、該絶縁基板11上に形成された磁気抵抗膜12と、該磁気抵抗膜12に形成された短絡電極13と、前記磁気抵抗膜12を覆う保護膜14と、電気信号取り出し用電極20とを含んでなる磁電変換素子10であって、前記電気信号取り出し用電極20が、前記保護膜14上に形成された端子電極21と、該端子電極21と磁気抵抗膜12とを導通させる接続電極22とからなる。
Claim (excerpt)：
絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された磁気抵抗膜と、該磁気抵抗膜に形成された短絡電極と、前記磁気抵抗膜を覆う保護膜と、電気信号取り出し用電極とを含んでなる磁電変換素子であって、前記電気信号取り出し用電極が、前記保護膜上に形成された端子電極と、該端子電極と磁気抵抗膜とを導通させる接続電極とからなることを特徴とする磁電変換素子。
IPC (3)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01L 43/12
H01L 43/08 D
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
Cited by examiner (6)
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