半導体装置とその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998118597
Publication number (International publication number)：1999312686
Application date： Apr. 28, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】結晶性の良好なSiGeC層を用いて、熱的安定性,耐電圧性の高いSiC系半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ヘテロバイポーラトランジスタは、6H-SiC基板201上に設けられたSiCサブコレクタ層207と、SiCサブコレクタ層207上に設けられたSiCコレクタ層204と、SiCコレクタ層204上に設けられたSiGeCベース層203と、SiGeCベース層203上に設けられたSiCエミッタ層202と、各層を分離するための絶縁膜206と、電極205a,205b,205cとを備えている。6H-SiC基板201内にGeをイオン注入して形成されたSiGeCベース層203は、結晶性が良好である。SiCエミッタ層202とSiGeCベース層203との間のヘテロ接合を利用して熱的安定性,耐電圧性の高いヘテロバイポーラトランジスタが得られる。

Claim (excerpt)：

SiC-SiGeCへテロ接合部を有する半導体装置の製造方法であって、化学的量論比1:1の組成を有するSiC層を準備する工程と、上記SiC層に、Geを導入することによりSiGeC層を形成する工程とを備えている半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/165 , H01L 29/78 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4)：

H01L 29/72 , H01L 29/165 , H01L 29/78 301 B , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-102311
シリコン膜の成長方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-029614 Applicant：日本電気株式会社
歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-158463 Applicant：沖電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page