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J-GLOBAL ID：200903092037612801
受光素子および光通信モジュール
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小笠原 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003330652
Publication number (International publication number)：2005101113
Application date： Sep. 22, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】 複数の波長の光を1本の光ファイバによって光送受信を行う光通信モジュールに用いる半導体受光素子の光クロストークを防止する。【解決手段】 半導体受光素子の基板と受光層の間に送信光を吸収し、受信光を透過させるn-InGaAsP吸収層11を設け、また、受光層と吸収層の間に正孔拡散抑止するn-InPキャリア拡散抑止層21を設けた構成とし、吸収層の膜厚を2〜6μm、キャリア濃度を1×1017cm-3未満とすることにより光クロストークを防止する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に少なくともpn接合を有する受光層を設けた受光素子であって、
受信すべき光の入射面と受光層の間に、前記受光層よりバンドギャップが大きい吸収層を設け、
前記吸収層のキャリア濃度が1×1017cm-3未満であることを特徴とする、受光素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (7)：
5F049MA03
, 5F049MB07
, 5F049NA20
, 5F049NB01
, 5F049PA09
, 5F049PA14
, 5F049QA11
Cited by applicant (1)
-
半導体受光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-260016
Applicant：住友電気工業株式会社
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