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J-GLOBAL ID：200903092094308370

強誘電体薄膜素子の製造方法、及び強誘電体薄膜素子

Inventor：
梨本 恵一

About 梨本 恵一


Applicant, Patent owner：
富士ゼロックス株式会社

About 富士ゼロックス株式会社


Agent (1)： 中島 淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996168339
Publication number (International publication number)：1997329722
Application date： Jun. 07, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 組成が安定に制御され、表面が光学的に平滑であり、かつ、高い結晶性を有するエピタキシャル強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子、及びその製法を提供する。【解決手段】 単結晶基板上への有機金属化合物の塗布と、その加熱とを利用した固相エピタキシャル成長を行うことによって、膜厚が1nmから40nmである強誘電体バッファ層を、その組成と異なる単結晶基板上に作製する工程を実施する。その後、前工程で形成された層上への有機金属化合物の塗布と、その加熱とを利用した固相エピタキシャル成長によって、膜厚が該強誘電体バッファ層の膜厚より厚く、かつ、10nm以上である強誘電体単層薄膜を形成する工程を一回以上実施する。こうして、該強誘電体バッファ層上に強誘電体薄膜層を作製し、強誘電体薄膜素子を製造する。
Claim (excerpt)：
強誘電体薄膜素子の製造方法において、単結晶基板上への有機金属化合物の塗布と、その加熱とを利用した固相エピタキシャル成長を行うことによって、膜厚が1nmから40nmである強誘電体バッファ層をその組成と異なる単結晶基板上に作製する工程を実施し、更に、前工程で形成された層上への有機金属化合物の塗布と、その加熱とを利用した固相エピタキシャル成長によって、膜厚が該強誘電体バッファ層の膜厚より厚く、かつ、10nm以上である強誘電体単層薄膜を形成する工程を一回以上実施することによって、該強誘電体バッファ層上に強誘電体薄膜層を作製することを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。
IPC (7)：
G02B 6/13 ,  C30B 5/00 ,  C30B 29/22 ,  C30B 29/30 ,  G02F 1/05 501 ,  G02F 1/35 505 ,  H01B 3/00
FI (8)：
G02B 6/12 M ,  C30B 5/00 ,  C30B 29/22 Z ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/30 B ,  G02F 1/05 501 ,  G02F 1/35 505 ,  H01B 3/00 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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