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J-GLOBAL ID：200903092156802163

シリコン単結晶製造方法

Inventor： 星 亮二 ,  園川 将 ,  布施川 泉 ,  太田 友彦
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338459
Publication number (International publication number)：1997175895
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】 HMCZ法によるシリコン単結晶の製造において、格子間酸素濃度の制御精度を向上させ、なおかつ成長方向においても格子間酸素濃度の均一性が高いシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 石英ルツボ内に収容したシリコンメルトに水平磁界を印加しシリコン単結晶を引き上げる方法(HMCZ法)によって、少なくともゼロでない回転数を有する石英ルツボからシリコン単結晶を引き上げるにあたり、当該石英ルツボの基準回転数に更にパルス状の増減を付加し、その回転数の差並びにサイクルを所定のプログラムで設定する。

Claim (excerpt)：

石英ルツボ内に収容したシリコンメルトに水平磁界を印加しシリコン単結晶を引き上げる方法(HMCZ法)によって、少なくともゼロでない回転数を有する石英ルツボからシリコン単結晶を引き上げるにあたり、当該石英ルツボの基準回転数に更にパルス状の回転数の増減を付加し、その回転数の差並びにサイクルを所定のプログラムで設定することを特徴とするシリコン単結晶製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/20 ,  C30B 33/04 ,  H01L 21/208

FI (5)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 502 G ,  C30B 15/20 ,  C30B 33/04 ,  H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• シリコン単結晶の引上げ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-348926   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開平3-109287
  
• 特開平3-164495
  
• 特公平2-044799