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J-GLOBAL ID：200903092167380210
半導体式加速度センサの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊藤 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997044087
Publication number (International publication number)：1998239344
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 チップサイズを増大させないで、ビーム部とゲージ抵抗の相対的な形成位置のズレによる顕著な感度低下を抑制し、十分な加速度検出を行う。【解決手段】 ビーム部12とフレーム部A又は重り部Bの付根の部分が応力最大部F1、F2となるが、この応力最大部F1、F2のそれぞれに形成するゲージ抵抗6をこの応力最大部F1、F2から所定量ずれた位置を目標として形成するようにする。つまり、ゲージ抵抗6を形成するにあたってマスクズレ等の様々なズレ要因によって、ゲージ抵抗6の形成位置にズレが生じる。そして、ゲージ抵抗6が応力最大部F1、F2のビーム部12外側に形成されると顕著な感度低下が生じる。従って、このズレを考慮して最大となるズレが発生した場合においてもゲージ抵抗6が応力最大部F1、F2の内側に形成されるようにする。
Claim (excerpt)：
フレーム部(A)に重り部(B)を支持する略一定幅に形成さた薄肉部(12)を有し、前記フレーム部(A)と前記薄肉部(12)の付根となる第1付根部(F1)と、前記重り部(B)と前記薄肉部(12)の付根となる第2付根部(F2)のそれぞれに設けられた第1、第2のゲージ抵抗(6)によって前記薄肉部(12)の応力変化の検出を行う半導体式加速度センサの製造方法において、前記第1のゲージ抵抗(6)が前記第1付根部(F1)よりも前記薄肉部(12)側に第1の所定量ずれた位置に、前記第2ゲージ抵抗(6)が前記第2付根部(F2)よりも前記薄肉部(12)側に第2の所定量ずれた位置に形成されるようにマスク(5)の位置を設定して前記第1、第2のゲージ抵抗(6)を形成することを特徴とする半導体式加速度センサの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G01P 15/12
, H01L 29/84 A
Cited by examiner (3)
-
3軸検出ブリッジ型加速度センサ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-302549
Applicant：日本航空電子工業株式会社
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半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-183784
Applicant：セイコー電子工業株式会社
-
半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-041933
Applicant：株式会社エスアイアイ・アールディセンター
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