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J-GLOBAL ID：200903092217721609

酸化物薄膜の作製方法

Inventor： 中村 孝夫
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994225708
Publication number (International publication number)：1996067968
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【構成】 成膜時に酸化ガスを冷却して供給し、反応性の高いガスの割合を高めて反応性共蒸着法で高品質な酸化物超電導薄膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

高真空に排気可能なチャンバ内に、基板を加熱可能に収容し、前記チャンバ内で、前記基板の近傍に酸素を含む酸化ガスをノズルから供給し、前記基板に対向して配置したKセル蒸着源から酸素以外の成分元素を供給し、反応性共蒸着法により酸化物薄膜を作製する方法において、酸化ガスを冷却して供給することを特徴とする酸化物薄膜の作製方法。

IPC (4)：

C23C 14/24 ,  C01B 13/14 ,  C23C 14/08 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-257097
  
• 磁気記録媒体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-012282   Applicant：ソニー株式会社