半導体基板及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：林敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993091686
Publication number (International publication number)：1994302791
Application date： Apr. 19, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SOIウェハに生じる温度上昇の欠点を抑え、信頼性の高い集積回路を形成するための半導体基板を提供することを目的とする。【構成】単結晶シリコン基板11中に局所的に絶縁物13が埋め込まれている。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板に局所的に絶縁膜が埋め込まれていることを特徴とする半導体基板。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/76

FI (2)：

H01L 21/265 A , H01L 21/265 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平3-082138
SIMOX基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-238513 Applicant：日本電気株式会社
特開平1-128562

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