縦型構造トランジスタ及びその製造方法、並びに半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995192261
Publication number (International publication number)：1997045692
Application date： Jul. 27, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】マイクロ波,ミリ波帯での電力増幅用素子として、耐湿性に優れ、高性能な縦型構造トランジスタ及びこれを用いた半導体装置を低コストで提供する。【解決手段】フィンガー状の素子真性動作部と対向する領域から、該素子真性動作部の長手方向と直交する方向に広がるバンプ電極116を有する縦型構造トランジスタであって、該バンプ電極116を、該素子真性動作部の長手方向における幅が、該素子真性動作部に対向する部分以外の部分(幅W1)では、該素子真性動作部に対向する部分(幅W0)に比べて大きい、略H形の平面形状(展翅状)とし、しかも略H形の平面形状を、該素子真性動作部に対向する部分における該素子真性動作部の長手方向と垂直な横側辺と、該横側辺の両側に位置しこれにつながる傾斜辺とがなす内角が、180°以上かつ225°以下の範囲内の値となるようにした。

Claim (excerpt)：

フィンガー状の素子真性動作部と対向する領域から、該素子真性動作部の長手方向と直交する方向に広がるバンプ電極を有する縦型構造トランジスタであって、該バンプ電極は、該素子真性動作部の長手方向における幅が、該素子真性動作部に対向する部分以外の部分では、該素子真性動作部に対向する部分に比べて大きいものであり、該バンプ電極のなす輪郭は、270°以上の内角を有しない平面形状となっている縦型構造トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/321 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (4)：

H01L 21/92 602 G , H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 604 S , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-137221 Applicant：シャープ株式会社

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