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J-GLOBAL ID：200903092294138118
半導体レーザの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993269241
Publication number (International publication number)：1995122813
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 光共振器端部に非光吸収領域を設けて成る半導体レーザにおいて、動作特性を安定化し発振閾値電圧を低減する。【構成】 n-GaAs基板28上に順次にn-InGaP クラッド層30a 、n-InGaAsP ガイド層32a 、n-InGaP エッチングストップ層34a 、InGaAs/GaAs 歪み量子井戸活性層36b 、p-InGaP 保護層38b 、p-InGaP クラッド層42a 及びp-GaAsコンタクト層44b を積層して、メサストライプ構造を形成する。そしてこの構造両側部のクラッド層30a 上に順次にp-InGaP 電流ブロック層及びn-InGaP 電流ブロック層を積層する。酸化しにくいInGaAsP 系半導体材料を用いるので動作特性を安定化でき、またメサストライプ構造を電流ブロック層で埋め込むので発振閾値電圧を低減できる。
Claim (excerpt)：
光共振器の一方の共振器端面の側及び他方の共振器端面の側にそれぞれ非光吸収領域を設けて成る半導体レーザを製造するに当り、第一導電型GaAs基板上に順次に、第一導電型下側クラッド層、アンドープInGaAsPガイド層、アンドープInGaPエッチングストップ層、活性層及び第一導電型とは反対導電型の第二導電型InGaP保護層を積層する工程と、前記保護層及び活性層をエッチングし、一方及び他方の非光吸収領域の間に、島状保護層及び島状活性層を形成する工程と、前記島状保護層上に順次に、第二導電型上側クラッド層及び第二導電型GaAsコンタクト層を積層する工程と、前記コンタクト層から下側クラッド層までの各層をエッチングして、メサストライプ構造を一方の共振器端面位置から他方の共振器端面位置まで形成する工程と、前記メサストライプ構造両側部の下側クラッド層上に順次に、第二導電型下側ブロック層及び第一導電型上側ブロックを積層し、これらブロック層で前記メサストライプ構造両側部を埋め込む工程と、前記メサストライプ構造のコンタクト層をエッチングして、一方及び他方の非光吸収領域の間に島状コンタクト層を形成する工程とを含んで成ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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