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J-GLOBAL ID：200903092300738998

ガスクラスターイオンビームによる固体表面の 平坦化方法

Inventor： 秋月 誠 ,  原田 光昭 ,  土井 淳雅 ,  山田 公
Applicant, Patent owner： 新技術事業団 ,  三洋電機株式会社
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057587
Publication number (International publication number)：1996293483
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【構成】 常温および常圧で気体状物質の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成させたガスクラスターイオンを加速電圧によって加速して基板表面に照射し、固体表面を平坦化する。【効果】 表面損傷を生じることなく、半導体、その他電子デバイス等の固体表面の平坦化、さらにはその表面清浄化も可能となる。

Claim (excerpt)：

常温および常圧で気体状物質の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターイオンを固体表面に照射してその表面を平坦化することを特徴とするガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (3)：

H01L 21/302 N ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ドライエツチング方法及びそのための装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-260376   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-354865
  
• 特開昭63-038232
  
• 特開昭60-014440