フラッシュROM管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995251238
Publication number (International publication number)：1997097218
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】フラッシュROMをファイルシステムに適応させることが可能な管理方式において、各消去単位毎の消去回数のばらつきを減少させる。【解決手段】データ領域とこれに対応する管理領域とで構成される複数のセクタをフラッシュROMに形成し、各セクタの記憶状態を示す状態情報(セクタ番号154、使用中フラグ155、使用済フラグ156)を管理領域に格納してフラッシュROMの記憶管理を行う。フラッシュROM内の無効データを整理するためにガベージコレクション処理の開始が指示されると、消去回数カウンタ152を参照して消去対象のイレースブロックを決定する。決定された消去対象のイレースブロックに対して消去処理を実行すると、当該イレースブロックの消去回数カウンタ152が1つインクリメントされる。

Claim (excerpt)：

データ領域、及びデータ領域に対応する管理領域とで構成される複数の記憶ブロックをフラッシュROMに形成し、各記憶ブロックにおいてデータ領域の記憶状態を示す状態情報を管理領域に格納し、該状態情報に基づいてフラッシュROMのアクセスを管理する管理手段と、前記フラッシュROM内の消去ブロックについて、前記状態情報に基づいてデータ領域に有効データが存在する記憶ブロックを抽出し、その内容を移動させて当該消去ブロックを消去する消去手段と、前記消去手段による消去が行われた回数を消去回数として消去ブロック毎にカウントし、該消去回数を消去ブロックの記憶領域に記憶するカウント手段と、前記消去手段において消去対象となる消去ブロックを前記消去回数に基づいて決定する決定手段とを備えることを特徴とするフラッシュROM管理装置。

IPC (3)：

G06F 12/16 310 , G06F 12/00 501 , G11C 16/06

FI (3)：

G06F 12/16 310 A , G06F 12/00 501 H , G11C 17/00 309 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197318 Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
不揮発性半導体メモリのファイル構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-356593 Applicant：インテル・コーポレーション
フラッシュメモリを使用した記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-318159 Applicant：株式会社日立製作所

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