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J-GLOBAL ID：200903092497071345

炭化珪素半導体装置

Inventor： 片岡 光浩 ,  内藤 正美 ,  竹内 有一 ,  ラジェシュ クマール ,  松波 弘之 ,  木本 恒暢
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002233722
Publication number (International publication number)：2004079577
Application date： Aug. 09, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】基板に形成したトレンチ溝の内壁面にエピタキシャル成長する際にファセット面の形成を抑制することができるようにする。【解決手段】SiC基板10は、{0001}面にオフ角を設けるとともにオフ方向を<11-20>としている。SiC基板10にトレンチ溝11が形成され、トレンチ溝11は<11-20>方向に延びるストライプ構造をなしている。トレンチ溝11の内壁面にはSiCエピ層が形成されている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

SiC基板にトレンチ溝が形成され、このトレンチ溝の内壁面にSiCエピ層を形成した炭化珪素半導体装置であって、 SiC基板として、{0001}面にオフ角を設けるとともにオフ方向を<11-20>としたものを用い、また、トレンチ溝として、<11-20>方向に延びるストライプ構造のものを用いたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3)：

H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808

FI (2)：

H01L29/80 V ,  H01L29/80 C

F-Term (10)：

5F102FA00 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 接合型電界効果半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330084   Applicant：株式会社日立製作所
• 縦形接合形電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-165007   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-050497   Applicant：株式会社デンソー