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J-GLOBAL ID：200903092523790665

シリコンウェーハの結晶欠陥検査方法及び装置

Inventor：
三次 伯知

About 三次 伯知


Applicant, Patent owner：
SUMCO TECHXIV株式会社

About SUMCO TECHXIV株式会社


Agent (2)： 正林 真之 ,  藤田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006083000
Publication number (International publication number)：2007258555
Application date： Mar. 24, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：
【課題】微細なボイドとパーティクルを識別可能なシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法及び装置を提供する。【解決手段】シリコンウェーハに赤外線を照射し、透過赤外線を撮像して得られる画像から結晶欠陥を検査する。低倍率検査ステップS1は、低倍率の対物レンズ14aを用いて、シリコンウェーハの一定の視野領域を有する低倍率検査画像を取得する。位置確認ステップS3は、低倍率検査画像を画像処理して結晶欠陥の位置を確認及び記憶する。高倍率検査ステップS4では、高倍率の対物レンズ14bを用いて、記憶された結晶欠陥の位置を視野領域の中に位置させて対物距離を変えて、視野領域の高倍率検査画像を取得する。判定ステップS5は、高倍率検査画像に基づいて結晶欠陥の形状を求め、円形か円形以外の不定形状かで結晶欠陥がボイドかパーティクルかを判定する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコンウェーハに赤外線を照射し、このシリコンウェーハを透過した赤外線を撮像して得られる画像から当該シリコンウェーハの結晶欠陥を検査するシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法であって、 低倍率の対物レンズを用いて、前記シリコンウェーハにおける一定の視野領域を有する低倍率検査画像を取得する低倍率検査ステップと、 前記低倍率検査画像を画像処理して結晶欠陥の位置を確認及び記憶する位置確認ステップと、 高倍率の対物レンズを用いて、前記記憶された結晶欠陥の位置を一定の視野領域の中に位置させて対物距離を変えて、当該視野領域の高倍率検査画像を取得する高倍率検査ステップと、 前記高倍率検査画像に基づいて前記結晶欠陥の形状を求め、前記結晶欠陥の形状情報から、円形か円形以外の不定形状かで当該結晶欠陥がボイドかパーティクルかを判定する判定ステップと、を含むシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/956
FI (2)：
H01L21/66 N ,  G01N21/956 A
F-Term (19)：
2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051BA06 ,  2G051CA03 ,  2G051CB02 ,  2G051EA11 ,  2G051EB01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CB19 ,  4M106CB30 ,  4M106DH13 ,  4M106DH31 ,  4M106DH38 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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