光デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994071496
Publication number (International publication number)：1995254756
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】より効果的に光を光ガイド層に閉じ込めることができ、閾値の上昇や微分効率の低下を防ぐことができる光デバイスを提供する。【構成】II-VI族化合物半導体から成る光デバイスは、化合物半導体基板11の上に、第1の光ガイド層13、活性層14又は光導波層、及び第2のガイド層15が順に少なくとも形成されて成り、第1の光ガイド層13の組成と第2の光ガイド層15の組成が異なる。あるいは又、第1の光ガイド層13の厚さと第2の光ガイド層15の厚さが異なる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板の上に、第1の光ガイド層、活性層又は光導波層、及び第2のガイド層が順に少なくとも形成されて成り、各層はII-VI族化合物半導体から構成され、第1の光ガイド層の組成と第2の光ガイド層の組成が異なることを特徴とする光デバイス。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-016258 Applicant：株式会社東芝
特開平4-144294
特開平3-288806

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