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J-GLOBAL ID：200903092567342147

アルミニウム信号ラインおよび半導体装置ならびにそれらの製造方法

Inventor： 徐 鉉 植 ,  金 仁 雨
Applicant, Patent owner： エルジー電子株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996301781
Publication number (International publication number)：1997172018
Application date： Nov. 13, 1996
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 簡単な構造、工程で信号ラインのヒロック発生を防止する。【解決手段】 絶縁基板上に、アルミニウムおよび第1融点を有する耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第1金属層と、アルミニウムあるいはアルミニウムおよび第1融点より低い第2融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第2金属層とにより構成されている。半導体装置は、このアルミニウム信号ライン上に絶縁層を介して第1導電型の第1半導体層と、第2導電型の第2半導体層と、第2半導体層および絶縁層に跨って設けられた導電層とを備えている。これらの製造方法も開示されている。【効果】 ヒロックが発生せず、アルミニウム信号ライン表面に不連続な突起や段差を作ることがなく、短絡やエッチングによる断線がなく、液晶表示装置の歩留まりが向上する。構造工程が簡単である。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に直接設けられ、アルミニウムおよび第1融点を有する耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第1金属層と、上記第1金属層上に直接設けられ、アルミニウムあるいはアルミニウムおよび上記第1融点より低い第2融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第2金属層とを備えたアルミニウム信号ライン。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (6)：

H01L 21/88 N ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-086812   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-031741   Applicant：富士通株式会社