半導体装置およびその作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156513
Publication number (International publication number)：1995335546
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域とチャネル形成領域との界面およびその近傍における欠陥を減少させる。【構成】結晶化を助長する触媒元素の作用によって結晶性を与えられた活性層103に対して、ゲイト電極105をマスクとして、ソース領域107とドレイン領域110への不純物イオンの注入を行う。その後、350度〜550度程度の加熱処理を加えることにより、結晶性を有する領域108から結晶成長を行わせ、ソース領域107とドレイン領域110との結晶化と注入された不純物の活性化を行う。この結果、結晶性を有する領域108とソース領域107、ドレイン領域110との界面に格子不整合に起因する欠陥が集中することを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜とする工程と、前記結晶性珪素膜を用いて活性層を形成する工程と、前記活性層の一部に選択的に不純物イオンを注入する工程と、加熱処理を施し、前記不純物イオンが注入されなかった領域から前記不純物イオンが注入された領域に向かって結晶成長を行わす工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/265 A , H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平1-200673
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-083383 Applicant：シャープ株式会社

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