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J-GLOBAL ID：200903092583651044

窒化物半導体結晶構造体

Inventor： 牧本 俊樹 ,  斎藤 久夫 ,  小林 直樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996215574
Publication number (International publication number)：1998064828
Application date： Aug. 15, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来のIII-V族化合物半導体結晶中への窒素不純物の取り込み効率が低く、かつ半導体結晶成長表面が粗くなるという問題を解決し、半導体結晶成長表面の平坦性を保ったまま、半導体結晶中への窒素不純物の取り込み効率を高くした窒化物半導体結晶構造体を提供する。【解決手段】閃亜鉛鉱構造をとるIII-V族化合物半導体であって、〔011〕方向に傾斜した(100)面を主面とする半導体基板と、この半導体基板上に形成されたV族原子の一部を窒素で置換した化合物半導体よりなる窒化物半導体結晶構造体。また、〔011〕方向に傾斜した(100)面を主面とする半導体基板に代えて、〔011〕方向と結晶学的同価な方向に傾斜した(100)面と結晶学的同価な面を主面とする半導体基板により構成した窒化物半導体結晶構造体。また、傾斜角度を54.7度以下とした窒化物半導体結晶構造体。

Claim (excerpt)：

閃亜鉛鉱構造をとるIII-V族化合物半導体であって、〔011〕方向に傾斜した(100)面を主面とする半導体基板と、該半導体基板上に形成されたV族原子の一部を窒素で置換した化合物半導体とにより少なくとも構成してなることを特徴とする窒化物半導体結晶構造体。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18