マイクロ波スイッチ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997086589
Publication number (International publication number)：1998284508
Application date： Apr. 04, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】ミリ波帯で良好なスイッチ特性を有するマイクロ波スイッチ素子を提供する。【解決手段】 FETのゲートフィンガ電極の一端を第一のゲート給電線路の一端に接続し、この第一のゲート給電線路の他端に高抵抗値を持つ第一の抵抗を接続し、前記ゲートフィンガ電極の他端を第二のゲート給電線路の一端に接続し、この第二のゲート給電線路の他端に高抵抗値を持つ第二の抵抗を接続する。ゲートフィンガ電極、ソース電極とドレイン電極、2個のゲート給電線路、および2個の抵抗がそれぞれ点対称であるように構成する。

Claim (excerpt)：

ソース電極とドレイン電極の電極間にゲートフィンガ電極を設けた電界効果トランジスタを用いたマイクロ波スイッチ素子において、前記ゲートフィンガ電極の一端に接続しゲート電極に給電する第一のゲート給電線路と、前記ゲートフィンガ電極の他端に接続しゲート電極に給電する第二のゲート給電線路とを置換してもパターン、特性が相等しいように構成されていることを特徴とするマイクロ波スイッチ素子。

IPC (4)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01P 1/15 , H03K 17/687

FI (3)：

H01L 29/80 F , H01P 1/15 , H03K 17/687 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体移相器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-047187 Applicant：三菱電機株式会社

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