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J-GLOBAL ID：200903092623303648

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 西井 勝則 ,  池田 義人 ,  正戸 宏幸 ,  井上 薫
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000248381
Publication number (International publication number)：2001156081
Application date： Aug. 18, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体に対して密着性がよく、ショットキ特性に優れたショットキ電極を有する半導体装置を製造することを目的とする。【解決手段】 n型GaN活性層4と、n型GaN活性層4上に形成されたショットキ電極6とを有し、ショットキ電極6がシリコンを含有する半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成されたショットキ電極とを有し、前記ショットキ電極がシリコンを含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/778

FI (3)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 M ,  H01L 29/80 H

F-Term (25)：

4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104CC03 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電界効果トランジスタ及びそのゲート電極の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-010388   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平1-093173
  
• 室温硬化性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-185465   Applicant：旭硝子株式会社