薄膜形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994234338
Publication number (International publication number)：1995130651
Application date： Sep. 02, 1994
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】基板の段差部や角部でも均一な膜厚の薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供する。【構成】基板の表面に塗布膜を形成する工程と、基板との界面付近の塗布膜領域または基板との界面付近以外の塗布膜領域のいずれか一方を改質させる工程と、所定の溶媒を用いて界面付近以外の塗布膜領域を除去することにより薄膜を形成する工程とを備える。【効果】均一な膜厚のレジスト膜または反射防止膜を形成することができるので、エッチング等によるパターン形成を行う際にパターン寸法の精度を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に塗布膜を形成する工程と、前記基板との界面付近の塗布膜領域または前記基板との界面付近以外の塗布膜領域のいずれか一方を改質させる工程と、前記界面付近以外の塗布膜領域を所定の溶媒を用いて除去することにより薄膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511

FI (2)：

H01L 21/30 563 , H01L 21/30 574

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

レジスト塗布方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-288531 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-352317
レジストパターンの形成方法および該方法に用いられる反射防止膜形成用有機シラン化合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-199603 Applicant：三菱電機株式会社

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