Pat

J-GLOBAL ID：200903092648136894

立方晶炭化珪素単結晶薄膜の作製方法

Inventor： 児島 一聡 ,  吉川 正人
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998027980
Publication number (International publication number)：1999228297
Application date： Feb. 10, 1998
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 基板とエピタキシヤル膜との界面をVan der Waals力で弱く結合させることにより、Si基板と立方晶炭化珪素(3C-SiC)単結晶薄膜と格子定数の違いによる結晶の歪み、転位、格子欠陥等の発生を抑制し、3C-SiC薄膜の品質を改善するものである。【構成】 Si基板表面に存在する活性なダングリングボンドを不活性化してSi基板と3C-SiCのエピタキシヤル膜との界面をVan der Waals力で結合させるようにするために、その表面を有機溶剤処理、化学的エッチング処理及び超純水中で煮沸処理することにより、上記ダングリングボンドを水素原子で終端してSi基板表面を不活性化させ、次に、この不活性処理された基板をCVD装置の反応炉に搬入し、基板温度が終端水素原子の脱離温度以下でソースガスを反応炉中に導入し、結晶成長を開始する。

Claim (excerpt)：

表面のダングリングボンドを水素原子で終端したSi基板を使用した化学気相成長法(CVD)による立方晶炭化珪素(3C-SiC)単結晶薄膜の作製方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭59-203799
  
• 結晶質薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-186080   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-203799
  
• 結晶質薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-186080   Applicant：松下電器産業株式会社