Pat

J-GLOBAL ID：200903092690679016

半導体発光素子

Inventor： 末宗 幾夫
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991252477
Publication number (International publication number)：1993129654
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【構成】 シリコン半導体1の表面を多孔質化し、その多孔質化シリコン半導体2の上に、エネルギーギャップ2ev以上の化合物層3を積層する。【効果】 安価な発光ダイオードが提供されるとともに、シリコンLSIに発光素子を集積するための基盤技術が提供される。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体表面を多孔質化し、その上にエネルギーギャップ2ev以上の化合物層を積層してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-190387   Applicant：日本電装株式会社
• 注入形発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215528   Applicant：日本電装株式会社