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J-GLOBAL ID：200903092695032290

レジスト用高分子化合物の製造方法

Inventor： 丸山 克浩 ,  吉田 覚 ,  北野 智 ,  真塩 均
Applicant, Patent owner： 群栄化学工業株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001106373
Publication number (International publication number)：2002302515
Application date： Apr. 04, 2001
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 レジストの膜減り、レジストの線幅の減少、ポリマーのドライエッチング耐性の低下等を伴わずに、耐熱性、感度、解像度等のレジストの性能を向上させることを可能とするレジスト用高分子化合物の製造方法の提供。【解決手段】 少なくとも4-アセトキシスチレンモノマーを含むスチレン系モノマーと、ジメチル-2,2’-アゾビスカルボン酸エステルとを溶媒に溶解してスチレン系モノマーを重合させ、得られたポリマー溶液に、アルカリ触媒を加えて加水分解した後、水で洗浄することを特徴とするレジスト用高分子化合物の製造方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも4-アセトキシスチレンモノマーを含むスチレン系モノマーと、ジメチル-2,2’-アゾビスカルボン酸エステルとを溶媒に溶解してスチレン系モノマーを重合させ、得られたポリマー溶液に、アルカリ触媒を加えて加水分解した後、水で洗浄することを特徴とするレジスト用高分子化合物の製造方法。

IPC (6)：

C08F 8/12 ,  C08F 4/04 ,  C08F212/14 ,  C08F220/28 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/039 601

FI (6)：

C08F 8/12 ,  C08F 4/04 ,  C08F212/14 ,  C08F220/28 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (29)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  4J015AA06 ,  4J100AB07P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15H ,  4J100BA15P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA31 ,  4J100FA03 ,  4J100HA08 ,  4J100HA61 ,  4J100HC43 ,  4J100HE14 ,  4J100HE41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 新規ポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-360046   Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-092325   Applicant：市村國宏, 有限会社日本ケミックス, 住友化学工業株式会社
• 特公平7-096569