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J-GLOBAL ID：200903092819548258

半導体装置

Inventor： 朱 雨 ,  石丸 昌晃 ,  高橋 直 ,  清水 正文
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995102233
Publication number (International publication number)：1996298317
Application date： Apr. 26, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】リーク電流を低減でき、且つ、高い信頼性を得ることのできる半導体装置及び電界効果型半導体装置を提供する。【構成】InP基板上に形成されたInGaAs能動層3と、そのInGaAs能動層3に接して形成されたアンドープのInAlPからなるショットキー障壁向上層6と、そのショットキー障壁向上層6に接続した金属電極7と、を備えてなる。

Claim (excerpt)：

InP基板上に形成されたInGaAs層からなる能動層と、該能動層に接して形成されたアンドープのInAlP層からなるショットキー障壁向上層と、該ショットキー障壁向上層に接続した金属電極と、を備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-119065
  
• 電界効果型化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-048875   Applicant：富士通株式会社