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J-GLOBAL ID：200903092819560363
電界電子放出装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998265044
Publication number (International publication number)：2000100317
Application date： Sep. 18, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】高密度に配向させられたナノチューブをエミッタとして備えた電界電子放出装置を提供する。【解決手段】エミッタ28は、炭化珪素単結晶から成る基板50を真空下で加熱することにより、その基板50の平坦な表面48から陽極20に向かう一方向に沿って伸びるように表面38に生成された複数本のナノチューブ40で構成される。そのため、基板50が真空下で加熱されると、珪素56が選択的に表面48から次第に除去され、それに伴って炭素原子44だけからなるナノチューブ40がその珪素56の移動方向すなわち基板50の内部から表面48に向かう一方向に沿って配向して生成される。しかも、珪素56が抜け出ることによるナノチューブ化は基板表面48の略全面で生じ、その表面48側には珪素56が残存し得ないため、そこにはナノチューブ40が緻密に形成されることとなる。これにより、高密度に配向させられたナノチューブ40を有するエミッタ28を備えたFED10が得られる。
Claim (excerpt)：
気密空間内において互いに対向して配置されたエミッタおよび陽極間に電圧を印加することにより、該エミッタから電子を放出させる形式の電界電子放出装置であって、前記エミッタが、共有結合性炭化物から成る基板を真空下で加熱することにより該基板の平坦な一面から前記陽極に向かう一方向に沿って伸びるように該一面に生成された複数本のカーボン・ナノチューブを有することを特徴とする電界電子放出装置。
IPC (3)：
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01J 1/30
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
, H01J 1/30 A
