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J-GLOBAL ID：200903092824798440

洗浄方法及び洗浄装置

Inventor： 木暮 雅彦 ,  阿部 俊和 ,  小島 泉里
Applicant, Patent owner： 野村マイクロ・サイエンス株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999232760
Publication number (International publication number)：2001054768
Application date： Aug. 19, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 洗浄中に露出した基板表面のSiを水素終端させつつ、室温での洗浄を効果的に行う。【解決手段】 水素ガス発生手段5から送られた水素ガス7を希フッ酸水溶液8中にバブリングさせて溶解し、洗浄対象となるSiウエハ9を洗浄バス1内の希フッ酸水溶液8中に超音波振動を与えながら所定時間浸漬させ、Siウエハ9を室温で洗浄するとともに、Siウエハ9の表面のSiのダングリングボンドを水素終端化する。

Claim (excerpt)：

水素ガスを溶解させたフッ化水素酸の水溶液を、超音波振動を与えながら、被洗浄物と接触させることを特徴とする洗浄方法。

IPC (4)：

B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647

FI (4)：

B08B 3/08 Z ,  B08B 3/12 A ,  H01L 21/304 642 E ,  H01L 21/304 647 Z

F-Term (12)：

3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201AB44 ,  3B201BB02 ,  3B201BB85 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201BB98 ,  3B201CB01 ,  3B201CC21 ,  3B201CD42 ,  3B201CD43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電子材料用洗浄水
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-006221   Applicant：栗田工業株式会社